NSBA114TDXV6T5G دیتاشیت

NSBA114TDP6T5G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NSBA114TDP6T5G
حجم فایل 91.904 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت NSBA114TDP6T5G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Digital Transistors
  • Datasheet: onsemi NSBA114TDXV6T5G
  • Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased
  • Collector Current (Ic): 100mA
  • Power Dissipation (Pd): 500mW
  • Transition Frequency (fT): -
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 160@5mA,10V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 500nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 50V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 250mV@10mA,1mA
  • Package: SOT-563
  • Manufacturer: onsemi

محصولات مشابه